Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Vorteile von Silizium und SiC verbinden

Wärmepumpen erfordern optimierte Lösungen

Toshiba Electronics stellt mit dem RD219 ein Referenzdesign für den Bau effizienter Wärmepumpen vor. Dabei werden fortschrittliche Siliziumkomponenten für die digitale Steuerung und leistungsstarke Bauelemente verwendet, die das Potenzial von Wide-Bandgap- und Siliziumtechnologien optimal nutzen.

Das Produktspektrum wird vielfältiger

Die GaN-Branche wird reifer und liefert vollständige Plattformen

Galliumnitrid (GaN) etabliert sich immer mehr im Markt für Leistungselektronik und hat...

Ein Jahr mit niedrigem Wachstum

Ein Dämpfer für die Himmelsstürmer

Gut eineinhalb Jahrzehnte kannte die Leistungshalbleiterbranche nur eine Richtung –...

Leistungshalbleiterbranche ist abgekühlt

Rückkehr zum Wachstum und neue Chancen durch KI

Nach Jahren des Wachstums plötzlich Bremsspuren. Eine sinkende Nachfrage nach E-Autos...

Evaluation-Board ist auch verfügbar

500-V-Leistungsstufe für kleinere und robustere Antriebe

Um die Entwicklung kompakter und zuverlässiger Lüfter und Pumpen mit energieeffizienten...

Aerospace/Defense/5G

GaN-on-SiC-Leistungsverstärker für höchste Ansprüche

Es gibt Anwendungen, die extrem hohe Anforderungen an die genutzten Leistungsverstärker...

Leistungsdichte bis zu 140 W/Inch3

400-V-CoolSiC-MOSFETs eröffnen hohe Effizienz

Um KI-Server- und Telekommunikationsnetzteile mit Ausgangsleistungen von 5,5 bis 8 kW...

WEKA Ad Award 2024

Die besten Motive der Elektronik-Branche

Lassen Sie sich von diesen beeindruckenden Beispielen inspirieren und erfahren Sie mehr...

Toshiba Electronics Europe

Jetzt steht dem Erfolg nichts mehr im Weg

Toshiba hat bewegte Zeiten hinter sich, auch im Halbleitersegment. Armin Derpmanns,...

Branchendiskussion: Leistungshalbleiter

Video 3: Kommt der SiC-IGBT?

Aktuell deutet nichts darauf hin, dass es bei SiC-MOSFETs in Zukunft nur noch Planar...